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EBSD(電子背向散射繞射)
EBSD(電子背向散射繞射)
EBSD（電子背向散射繞射）是針對分析樣品結晶性能特性的一種技術。通過這種技術，可以得到晶粒大小，晶粒取向，取向差，變形，結構和晶粒的長寬比等所有的特點。
EBSD是一個重要的分析技術可以結合XRD的卓越分析能力。儘管我們的XRD可以提供晶體結構，奈米晶粒尺寸，薄膜厚度和紋理的豐富資訊，然而通過EBSD的新功能將可以提供晶體樣品更完整的說明。
下面幾個例子的數據是由鋁薄膜樣品和冷加工（變形）不鏽鋼獲得的。
圖片1：鋁元素獨特粒徑分布圖
（本圖片中的顏色只能用於顯示單個晶粒）
圖片2：反極圖，顯示單個晶粒取向（紋理）
圖3：極圖，另一種顯示樣品紋理/晶粒排列的表示
圖4：冷加工不銹鋼的反極圖。
圖5： 就地測量定向誤差，取得相同位置的變形圖
產業應用
技術限制
- 不能測定非晶材料
- 區分不同相的能力中等
優點
- 直接測量粒度
- 能夠表現單獨的晶界角度
- 可以繪製某些材料的相分布圖
- 可以繪製從10nm到100μm範圍的晶粒
分析規格
偵測訊號： 繞射電子
偵測元素：所有的元素，假設他們存在於晶體基質
偵測限制條件：晶粒尺寸大於80nm
定量分析：晶粒尺寸和相關測定：~10%
應用範圍
- 退火過程的特性
- 局部區域的紋理結構特性，例如靠近焊接點或者半導體接合焊盤
- 當涉及鋼板和鋁的光潔度時，晶粒尺寸和紋理的特性
- 較大晶粒的測定，沒有與LM相關聯的誤差
- 特殊晶界的特性，例如共位晶界(CSL)和雙晶界
- 測量晶粒的定向誤差
- 通過測定晶體定向誤差和晶體長寬比得到變形的特徵
- 磊晶薄膜的特性
- 經由檢查橫截面，觀察深度結構的特性