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TXRF(全反射X-射線螢光分析)

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TXRF（全反射X-射線螢光分析）是X–射線利用極低角度照射拋光的樣品表面，X-射線的的入射角度（通常為0.05°）低於基板和樣品最外表面層的臨界角。從表面原子會發射出元素特性的螢光光子。

TXRF是一種靈敏度高的表面分析技術，所以TXRF在分析半導體晶片表面之金屬汙染方面是最佳選擇。

 

 

 

 

 

 

產業應用
  • 半導體
  • 電信
  • 化合物半導體
  • 光電太陽能
技術限制
  • 不能偵測低原子量的元素（Li, Na, Al）
  • 最佳偵測條件需要拋光表面
優點
  • 痕量元素分析
  • 調查分析
  • 定量分析
  • 非破壞性分析
  • 自動化分析
  • 全晶圓分析（最大300mm）
分析規格

偵測訊號：來自晶片表面的螢光X-射線

偵測元素：S-U

偵測限制條件：109 - 1012 at/cm2

深度解析度：30-80A（分析深度）

影像/mapping：可選

橫向解析度/ 偵測尺寸：~10 mm

應用範圍
  • 半導體晶片的金屬表面污染物