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分析技術 >> RBS(拉塞福背向散射) >> HFS(氫正向散射光譜)

HFS(氫正向散射光譜)

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HFS(氫正向散射光譜)是一種用於定量薄膜中氫濃度的離子散射分析技術。在分析過程中,He2+離子以掠射角角度撞擊樣品表面,將樣品的氫原子碰撞出後,以固態偵測器進行分析。

由於薄膜物理或者電氣屬性中氫元素的潛在影響,因此在薄膜中測定氫元素的組成和分布就變得很關鍵。其他的技術,例如AES、EDS以及XPS,都無法偵測氫元素;而SIMS可以測量氫元素,但要定量氫元素是非常困難。這使得HFS在薄膜分析中成為了一項非常獨特有用的技術。

很少有實驗室能像EAG這樣在提供HFS技術方面擁有深度和廣泛的經驗。EAG的經驗使其具有快速分析時間、準確數據以及個人的服務,確保客戶能夠理解所得到的分析結果。

產業應用
  • 航太工業
  • 國防
  • 顯示器
  • 半導體
  • 電信
技術限制
  • 需較大的分析面積(1mm x 5mm)
  • 有限的薄膜有用資訊 (<0.5μm)
  • 深度解析度為300Å
優點
  • 非破壞性氫元素成分測定
  • 全晶片分析(最高到300mm)以及不規則大尺寸樣品
  • 導體和絕緣體分析
分析規格

偵測訊號: 正向散射氫原子

偵測元素:1H, 2H

偵測限制條件:0.1at%

深度解析度:~300Å

影像/mapping:

橫向解析度/探測尺寸:>=1mm x 5mm

應用範圍
  • 薄膜氫元素分析