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分析技術 >> RBS(拉塞福背向散射) >> NRA(核反應分析)

NRA(核反應分析)

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NRA(核反應分析)用於測定薄膜中的低原子量元素(例如C、N、O、B)。在NRA分析過程中,初級入射粒子誘發薄膜中低原子量原子核的核反應,以及噴射出特定核反應中帶有特定動能的粒子(即特定的元素)。

NRA可以用於定量薄膜中B, C, N和 O的總濃度。相較於RBS,NRA可以在較低濃度範圍內測量這些元素。通過結合使用RBS和NRA,就可以定量薄膜中輕元素的濃度。

只有為數不多的實驗室可以提供商業化的NRA,或者與EAG廣泛而深刻的經驗相媲美,可以實現快速的分析時間、準確數據和個人服務。

產業應用
  • 航太工業
  • 國防
  • 半導體
  • 電信
技術限制
  • 需要大的分析面積(1mm)
  • 無深度解析度
  • 每種元素都要求特定的入射粒子,因此根據所需的元素,可能需要進行多次測量
優點
  • 非破壞性成分分析
  • 不需要標準品就可以定量
  • 全晶片分析(最高300mm)以及不規則和大尺寸樣品
  • 導體和絕緣體分析
  • 對低原子量的元素靈敏度好
分析規格

偵測元素:C, N, O, B

偵測限制條件:0.5-1%

深度解析度:

影像/mapping:

橫向解析度/偵測尺寸:大約等於1mm

應用範圍
  • 測量薄膜中較低原子量的B, C, N和 O