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TEM/STEM(穿透式電子顯微鏡/掃描穿透式電子顯微鏡)
TEM/STEM(穿透式電子顯微鏡/掃描穿透式電子顯微鏡)是密切相關的技術,主要是使用電子束讓樣品成像。使用高能量電子束,讓超薄樣品的圖像分辨率可以達到1-2Å的解析度。和SEM相比,TEM和STEM具有更好的空間解析度,並且能夠作額外的分析測量,但需要更多的樣品製備。
儘管與其他常用的分析工具相比,需要花費更多分析時間,但是通過TEM和STEM可以獲得更豐富的資訊。不僅可以獲得出色的圖像解析度,也可以得到晶體結構特性、結晶取向(通過繞射實驗)、產生元素圖(使用EDS或EELS),並且得到明顯的元素對比圖(暗場模式),這些方式都可在精確地定位到奈米等級的區域來進行分析。TEM和STEM是薄膜和積體電路樣品的故障分析工具。
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產業應用
技術限制
- 重要的樣品製備時間
- 樣品製備通常小於100nm
- 某些材料對於電子束來說不穩定
優點
- 任何分析技術的終極元素映射解析度
- ~0.2nm(2Å)的圖像解析度
- 小面積樣品的晶體結構資訊
分析規格
偵測訊號:透射電子、散射電子、二次電子和X-射線
偵測元素:B-U(EDS)
偵測限制條件:0.1-1at%
影像/mapping:是(EDS,EELs)
終極橫向解析度:<0.2nm
應用範圍
- 鑑別積體電路中奈米等級的缺陷,包括在通孔底部嵌入的顆粒和殘留物。
- 確定結晶相,作為界面距離函數
- 奈米晶粒特性:核心/外殼調查、結塊和退火效應
- 催化劑載體的覆蓋範圍
- 超小面積元素地圖
- III-V族超晶格特性
- 晶體缺陷特性