TOF-SIMS(飛行式二次離子質譜)
TOF-SIMS（飛行式二次離子質譜）是將一次離子脈衝束聚焦在樣品表面上，在濺射過程中產生二次離子的表面分析技術。分析這些二次離子可以得到有關表面上分子和元素種類的資訊。例如，如果存在有機污染物，像是表面吸附的油，TOF-SIMS將會顯示此資訊，而其他的技術則做不到這一點。TOF-SIMS是一種調查方法，在元素週期表中的所有元素，包括氫元素，都可以進行偵測。此外，TOF-SIMS也可以提供質譜訊息；在樣品XY維度上的圖像資訊；以及樣品Z維度上的深度分布資訊。
TOF-SIMS的表面靈敏性是解決問題的良好開端。一旦客戶
對於正在處理的事情有構想，那就可以使用其他的技術來獲得額外的資訊。
在TOF-SIMS商業化應用方面，EAG的歷史比任何其他的公司都久；我們的技術是獨一無二的。最重要的一點是對於TOF-SIMS來說，數據收集是非常複雜的，比其他的分析技術要求更多的解釋或資料處理。TOF-SIMS的成像能力可以為μm尺寸的缺陷和顆粒提供元素和分子資訊。TOF-SIMS還可以被用於深度分析，和動態的SIMS互補。TOF-SIMS的優勢是可以對小面積樣品進行分析以及有測量深度分布的能力。
在EAG，我們使用TOF-SIMS來協助客戶進行品質控制、故障分析、故障排除、過程監控、研究與開發。例如，當調查晶片表面污染的問題時，我們所提供的資訊可以幫助確定問題的具體來源，像是泵油或者組件除氣，或者可以指出晶片處理步驟本身的問題（例如，蝕刻殘留）。我們也會確保您在整個過程中享受到個人的服務，以便於您理解測試的結果與含義。