ICP-OES/MS(感應耦合電漿原子發射光譜儀/質譜)

ICP（感應耦合電漿）分析技術可以定量測量材料的元素含量，範圍為ppt到wt%。只有C, H, O, N和鹵素不適用ICP測量。

固體樣品會被溶解或者消化在液體中，通常是酸性水溶液。

將樣品溶液噴入感應耦合電漿的核心中，電漿溫度高達8000°C，在這樣的高溫下，所有的分析物種都會被原子化、離子化和熱激發，然後它們可以被OES或MS偵測和定量。

ICP-OES vs ICP-MS: 兩種技術的比較

ICP-OES可以測量從熱激發分析離子的特定元素特性波長發射的光。這種發射光可以在分光計中分離和測量強度，通過和校正標準品進行比對，轉換為元素濃度。

ICP-MS可以測量由高溫氬離子電漿產生的元素離子質量。在電漿中產生的離子依據其荷質比分離，使未知材料可以被識別和定量。ICP-MS可以對各種不同的元素提供極高的靈敏度（即低偵測極限）。

對於利用GDMS、IGA、ICP-OES或LA-ICP-MS分析進行痕量元素分析來說：

產業應用

技術限制

優點

使用單一分析方法可以測定許多元素（最多70種）。
有用的工作範圍為幾個數量級
可以自動化測量，進而提高準確度、精確度和產量。
將ICP-OES和ICP-MS結合起來是測量廣泛元素的濃度是非常有效的分析技術，在測量主要成分可以達到非常低的程度（通常是~ppb），同時具有高準確度和高精確度。

分析規格

偵測訊號：光子(OES)或者離子(MS)

偵測元素：最多70種元素

偵測限制條件：ppb

深度解析度：塊材技術

影像/mapping：否

應用範圍